Flash Memory

플래시 메모리

전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 메모리입니다.

DRAM이란?

Random Access Memory 종류 중 하나 반도체 회로로 구성되어 있으며 휘발성 메모리다 디램(DRAM, Dynamic Random Access Memory) 데이터를 유지하기 위해 일정 시간마다 재생(refresh)해 주어야 하는 램

NAND란?

NOR 게이트와 NAND 게이트와 관련

NAND 플래시는

NOR 플래시에 비해 지우기와 쓰기 시간이 좀 더 빠르고 집적도가 높으며 제작비도 낮고 10배의 내구성을 자랑한다. 그러나 입출력 인터페이스는 자료에 대한 순차 접근만을 지원한다. 이것은 컴퓨터 메모리로는 조금 덜 유용하지만 개인용 컴퓨터 카드와 다양한 메모리 카드와 같은 대용량 저장 장치에 알맞다. NAND: 페이지와 블록단위로 구성, 덮어쓰기가 불가능 ->기존 파일을 삭제하고 새 영역에 기록을 새로 함 ->삭제된 공간은 재기록 불능상태를 거쳐 지움연산 뒤 기록 가능한 상태로 변경

NOR 기반 플래시는

지우기와 쓰기 시간이 긴 대신 어떤 위치에도 임의로 접근할 수 있게 주소/자료 인터페이스를 제공한다. 이 메모리는 컴퓨터 바이오스나 셋톱 박스의 펌웨어와 같이 자주 업데이트되지 않는 프로그램 코드를 저장하는 데에 알맞다. 플래시 메모리 특성상 10,000에서 1,000,000까지 지울 수 있다. NOR 기반 플래시는 초기 이동형 매체의 뿌리가 되어, 콤팩트 플래시에서 처음 사용되었으나 나중에 좀 더 싼 NAND 플래시가 쓰이기 시작했다.

NOR: 구조상 속도가 NAND보다 우세하나 대용량이 어렵고 단가가 높음